Project information
Advanced laser processing for semiconductor wafers manufacturing
- Project Identification
- CZ.01.01.01/01/24_063/0006908
- Project Period
- 7/2025 - 6/2028
- Investor / Pogramme / Project type
-
Ministry of Industry and Trade of the CR
- OP TAK
- Application
- MU Faculty or unit
- Faculty of Science
- Cooperating Organization
-
Institute of Physics of the ASCR, v. v. i.
Brno University of Technology
- Responsible person prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc.
- Responsible person Mgr. Michal Lorenc
Karbid křemíku (SiC) má zásadní význam v polovodičových aplikacích pracujících s velmi vysokými výkony, včetně elektromobility, obnovitelné energie a AI. Vynikající elektrické a tepelné vlastnosti SiC společně s technologickou kompatibilitou s běžnou technologií na bázi křemíku byly hlavními hnacími silami nedávného rozmachu oblasti trhu SiC. Přes nedávný technologický pokrok jsou vysokoteplotní růst monokrystalického SiC (>2000 °C), výjimečně vysoká tvrdost a chemická stabilita SiC hlavními faktory odpovědnými za více než 50ti procentní podíl substrátu na konečné ceně hotové součástky. Procesy a technologie podporované laserem jsou slibnými alternativami k současným mechanickým, chemickým a tepelným metodám, a mohou tak poskytnout cestu k dlouhodobě udržitelnému snížení výrobních nákladů se zvýšenou účinnosti.