Informace o projektu
Pokročilé laserové procesy výroby polovodičových desek

Karbid křemíku (SiC) má zásadní význam v polovodičových aplikacích pracujících s velmi vysokými výkony, včetně elektromobility, obnovitelné energie a AI. Vynikající elektrické a tepelné vlastnosti SiC společně s technologickou kompatibilitou s běžnou technologií na bázi křemíku byly hlavními hnacími silami nedávného rozmachu oblasti trhu SiC. Přes nedávný technologický pokrok jsou vysokoteplotní růst monokrystalického SiC (>2000 °C), výjimečně vysoká tvrdost a chemická stabilita SiC hlavními faktory odpovědnými za více než 50ti procentní podíl substrátu na konečné ceně hotové součástky. Procesy a technologie podporované laserem jsou slibnými alternativami k současným mechanickým, chemickým a tepelným metodám, a mohou tak poskytnout cestu k dlouhodobě udržitelnému snížení výrobních nákladů se zvýšenou účinnosti.